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功率半導(dǎo)體動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)

簡要描述:KC3120功率半導(dǎo)體動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)可針對各類型 GaN、Si基及SiC基二極管、 MOSFET、IGBT 等分立器件的各項(xiàng)動態(tài)參數(shù)測試,如開通時間、關(guān)斷時間、上升時間、下降時間、導(dǎo)通延遲時間、關(guān)斷延遲時間、開通損耗。

  • 產(chǎn)品型號:
  • 廠商性質(zhì):代理商
  • 更新時間:2025-05-07
  • 訪  問  量:65

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產(chǎn)品詳情

功率半導(dǎo)體動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)

型      號:KC3120

功能簡介:KC3120功率半導(dǎo)體動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)可針對各類型 GaN、Si基及SiC基二極管、 MOSFET、IGBT 等分立器件的各項(xiàng)動態(tài)參數(shù)測試,如開通時間、關(guān)斷時間、上升時間、下降時間、導(dǎo)通延遲時間、關(guān)斷延遲時間、開通損耗、...

設(shè)備簡介

KC3120功率半導(dǎo)體動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)可針對各類型 GaN、Si基及SiC基二極管、 MOSFET、IGBT 等分立器件的各項(xiàng)動態(tài)參數(shù)測試,如開通時間、關(guān)斷時間、上升時間、下降時間、導(dǎo)通延遲時間、關(guān)斷延遲時間、開通損耗、關(guān)斷損耗、柵極總電荷、柵源充電電量、平臺電壓、反向恢復(fù)時間、反向恢復(fù)充電電量、反向恢復(fù)電流、反向恢復(fù)損耗、反向恢復(fù)電流變化率、反向恢復(fù)電壓變化率、輸入電容、輸出電容、反向轉(zhuǎn)移電容、短路。

通過更換不同的測試單元以達(dá)到對應(yīng)測試內(nèi)容,通過軟件切換可以選擇測試單元、測試項(xiàng)目及配置測試參數(shù)、 讀取保存測試結(jié)果。

參考標(biāo)準(zhǔn)

IEC 60747-8/9 半導(dǎo)體分立器件第8/9部分/JEDEC標(biāo)準(zhǔn)

設(shè)備特點(diǎn)

KC-3120系 統(tǒng) 包 含 : 硬 件 平 臺 + 實(shí) 時 軟 件 , 其 中 硬 件 平 臺 包含 : 信號源(模塊)、FTP低壓電源、FTP高壓電源、示波器、測量采集控制模塊、測試夾具(可加熱)等,主要特點(diǎn)如下:

高靈活度:多種驅(qū)動板配置,覆蓋高壓/中壓/低壓器件測試和雪崩測試(可選);

高精度測試:高共模仰制比的高壓差分光隔離探頭(可選)滿足SiC/GaN半導(dǎo)體器件更高母線電壓和更快開關(guān)時間的測量挑戰(zhàn)要求;低回路電感設(shè)計(jì)(<5OnH寄生電感);

高效率:可進(jìn)行開關(guān)參數(shù)/動態(tài)柵極電荷/動態(tài)導(dǎo)通電阻/短路/雪崩測試,單次測試即可完成開關(guān)特性和反向恢復(fù)特性測試;

具備數(shù)據(jù)管理功能,上位機(jī)可實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)曲線、報(bào)告及自動保存;

保護(hù)功能:具備器件防呆,對于帶電、高溫開箱、測試參數(shù)異常、驅(qū)動電路異??蓪?shí)現(xiàn)保護(hù)功能,

內(nèi)部模塊化設(shè)計(jì),支持支持?jǐn)U展外接標(biāo)準(zhǔn)儀表,客制化;

軟件系統(tǒng)



技術(shù)參數(shù)

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